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Robust design of DRAM core circuits

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Die Ausbeute von DRAM Schaltungen gestaltet sich zunehmend schwieriger mit zunehmender Speicher dichte und immer kleiner werdenden Strukturgrößen. Basierend auf statistischen Methoden und einem analytischen, hierarchisch aufgebauten Schaltungsmodell wird in dieser Dissertation die elektrische Ausbeute von beliebigen DRAM Schaltungen analyisiert. Mit Hilfe dieses Modells kann die Ausbeute von DRAM Schaltungen bezüglich Fläche, Versorgungsspannung, Zellenfeldarchitektur und Ungenauigkeiten der Verstärkerparameter optimiert werden. Mit den hier entwickelten Methoden können DRAM - Schaltungen robuster und flächeneffizienter realisiert werden. Diese Arbeit bietet damit einen Leitfaden für Ausbeute - optimiertes Design in zukünftigen DRAM Schaltungen mit hohen Speicherdichten.

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Robust design of DRAM core circuits, Yan Li

Lingua
Pubblicato
2011
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(In brossura)
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Titolo
Robust design of DRAM core circuits
Lingua
Inglese
Autori
Yan Li
Editore
Shaker
Pubblicato
2011
Formato
In brossura
ISBN10
3832298452
ISBN13
9783832298456
Serie
Descrizione
Die Ausbeute von DRAM Schaltungen gestaltet sich zunehmend schwieriger mit zunehmender Speicher dichte und immer kleiner werdenden Strukturgrößen. Basierend auf statistischen Methoden und einem analytischen, hierarchisch aufgebauten Schaltungsmodell wird in dieser Dissertation die elektrische Ausbeute von beliebigen DRAM Schaltungen analyisiert. Mit Hilfe dieses Modells kann die Ausbeute von DRAM Schaltungen bezüglich Fläche, Versorgungsspannung, Zellenfeldarchitektur und Ungenauigkeiten der Verstärkerparameter optimiert werden. Mit den hier entwickelten Methoden können DRAM - Schaltungen robuster und flächeneffizienter realisiert werden. Diese Arbeit bietet damit einen Leitfaden für Ausbeute - optimiertes Design in zukünftigen DRAM Schaltungen mit hohen Speicherdichten.