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Druckabhängigkeit der Absorption von Ni-Störstellen in ZnS und ZnSe und der exzitonischen Absorption in binären, ternären und II-VI-Halbleiterverbindungen und Übergittern

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Gerhard Schötz

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Druckabhängigkeit der Absorption von Ni-Störstellen in ZnS und ZnSe und der exzitonischen Absorption in binären, ternären und II-VI-Halbleiterverbindungen und Übergittern, Gerhard Schötz

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Pubblicato: 1995

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