Optimierung von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren auf Galliumarsenid-Basis für Leistungsanwendungen im Millimeterwellen-BereichDietmar GeigerEsauritoAvvisami
Entwicklung eines TFA-Farbbildsensors auf der Basis von a-Si(C):H-MultispektraldetektorenQi ZhuEsauritoAvvisami
Herstellung von sub-μm-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren [sub-my-m-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren] (HFETs) und ersten Testschaltungen für HochfrequenzanwendungenMarkus GlückEsauritoAvvisami
