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Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern

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Klaus J. Riepe

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Libri di testo universitari

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Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern, Klaus J. Riepe

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Pubblicato: 1997

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