Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
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Die Studie präsentiert eine neuartige Schaltung, die die Konstruktion von Hochvolt-Operationsverstärkern erleichtert und kostengünstig gestaltet. Dabei werden sowohl Silizium-basierte als auch Galliumnitrid-Bauteile für die Endstufe verwendet. Diese Innovation zielt darauf ab, die Herausforderungen zu überwinden, die mit herkömmlichen hybriden Operationsverstärkern verbunden sind, insbesondere hinsichtlich Hochfrequenzverhalten, Ausgangsspannung und Ausgangsstrom.
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Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers, Roland Krebs
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- 2013
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- (In brossura)
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