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- 324pagine
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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchfuhrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genugen mussen, um die geforderten Strukturgrossen bis zu wenigen 10 nm gleichmassig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Atzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erlautert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchfuhrung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der 5. Auflage wurde 'Atomic Layer Deposition' hinzugefugt, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde erganzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusatzlich eingearbeitet."
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Silizium-Halbleitertechnologie, Ulrich Hilleringmann
- Lingua
- Pubblicato
- 2023
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- (In brossura)
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- Titolo
- Silizium-Halbleitertechnologie
- Sottotitolo
- Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
- Lingua
- Tedesco
- Autori
- Ulrich Hilleringmann
- Pubblicato
- 2023
- Formato
- In brossura
- Pagine
- 324
- ISBN10
- 3658423773
- ISBN13
- 9783658423773
- Serie
- Descrizione
- Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchfuhrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genugen mussen, um die geforderten Strukturgrossen bis zu wenigen 10 nm gleichmassig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Atzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erlautert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchfuhrung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der 5. Auflage wurde 'Atomic Layer Deposition' hinzugefugt, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde erganzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusatzlich eingearbeitet."